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DMN1033UCB4-7

DMN1033UCB4-7

Solo per riferimento

Numero parte DMN1033UCB4-7
PNEDA Part # DMN1033UCB4-7
Descrizione MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 27.048
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 23 - mag 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMN1033UCB4-7 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMN1033UCB4-7
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
DMN1033UCB4-7, DMN1033UCB4-7 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 284,17 KB)
PDFDMN1033UCB4-7 Datasheet Copertura
DMN1033UCB4-7 Datasheet Pagina 2 DMN1033UCB4-7 Datasheet Pagina 3 DMN1033UCB4-7 Datasheet Pagina 4 DMN1033UCB4-7 Datasheet Pagina 5 DMN1033UCB4-7 Datasheet Pagina 6

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  • DMN1033UCB4-7 Distributor

DMN1033UCB4-7 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual) Common Drain
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs37nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max1.45W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia4-UFBGA, WLBGA
Pacchetto dispositivo fornitoreU-WLB1818-4

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 25V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

APTSM120AM09CD3AG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Silicon Carbide (SiC)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

337A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 180A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 9mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1224nC @ 20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

23000pF @ 1000V

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

NDS9943

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A, 2.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

525pF @ 10V

Potenza - Max

900mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

888pF @ 15V

Potenza - Max

3.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

680A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.2mOhm @ 500A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 30mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1440nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

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Temperatura di esercizio

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