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DMJT9435-13

DMJT9435-13

Solo per riferimento

Numero parte DMJT9435-13
PNEDA Part # DMJT9435-13
Descrizione TRANS PNP 30V 3A SOT-223
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.176
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 13 - mag 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMJT9435-13 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMJT9435-13
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
DMJT9435-13, DMJT9435-13 Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 102,3 KB)
PDFDMJT9435-13 Datasheet Copertura
DMJT9435-13 Datasheet Pagina 2 DMJT9435-13 Datasheet Pagina 3 DMJT9435-13 Datasheet Pagina 4

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DMJT9435-13 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo di transistorPNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)3A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)30V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic550mV @ 300mA, 3A
Corrente - Taglio collettore (Max)-
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce125 @ 800mA, 1V
Potenza - Max1.2W
Frequenza - Transizione160MHz
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-261-4, TO-261AA
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-223

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Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

40V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 2V

Potenza - Max

250mW

Frequenza - Transizione

450MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-75, SOT-416

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-75

2N5551RLRAG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

600mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

160V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

200mV @ 5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

50nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Potenza - Max

625mW

Frequenza - Transizione

300MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

2SA933AS-R-AP

Micro Commercial Co

Produttore

Micro Commercial Co

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 2A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

180 @ 100mA, 2V

Potenza - Max

200mW

Frequenza - Transizione

120MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92S

ZUMT717TA

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1.25A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

240mV @ 100mA, 1.25A

Corrente - Taglio collettore (Max)

10nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 500mA, 2V

Potenza - Max

500mW

Frequenza - Transizione

220MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-323

2N2907AE4

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

600mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Potenza - Max

500mW

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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TO-18

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