DMG4435SSS-13
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| Numero parte | DMG4435SSS-13 |
| PNEDA Part # | DMG4435SSS-13 |
| Descrizione | MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOIC |
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 66.420 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 28 - lug 3 (Scegli Spedizione rapida) |
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DMG4435SSS-13 Risorse
| Brand | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DMG4435SSS-13 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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DMG4435SSS-13 Specifiche
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.3A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 11A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35.4nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±25V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1614pF @ 15V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.3V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 230mOhm @ 1.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.2nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 497pF @ 50V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1.1W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SOT-26 Pacchetto / Custodia SOT-23-6 |
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