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DMG3407SSN-7

DMG3407SSN-7

Solo per riferimento

Numero parte DMG3407SSN-7
PNEDA Part # DMG3407SSN-7
Descrizione MOSFET P-CH 30V 4A SC59
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.402
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 30 - mag 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMG3407SSN-7 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMG3407SSN-7
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
DMG3407SSN-7, DMG3407SSN-7 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 393,55 KB)
PDFDMG3407SSN-7 Datasheet Copertura
DMG3407SSN-7 Datasheet Pagina 2 DMG3407SSN-7 Datasheet Pagina 3 DMG3407SSN-7 Datasheet Pagina 4 DMG3407SSN-7 Datasheet Pagina 5 DMG3407SSN-7 Datasheet Pagina 6

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DMG3407SSN-7 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds700pF @ 15V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)1.1W (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-59
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.2A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

200mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

600mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.7nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

315pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.6W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-6

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6

APT22F80S

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

23A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

430mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

150nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4595pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

625W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D3Pak

Pacchetto / Custodia

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

120A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.6V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

126nC @ 10V

Vgs (massimo)

+20V, -10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

8155pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

395W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

SOT-1023, 4-LFPAK

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Infineon Technologies

Serie

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Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.6A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

46mOhm @ 4.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3150pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.5W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

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Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

130nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

300W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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