Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

DMC67D8UFDBQ-13

DMC67D8UFDBQ-13

Solo per riferimento

Numero parte DMC67D8UFDBQ-13
PNEDA Part # DMC67D8UFDBQ-13
Descrizione MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.804
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 18 - lug 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMC67D8UFDBQ-13 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMC67D8UFDBQ-13
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
DMC67D8UFDBQ-13, DMC67D8UFDBQ-13 Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 525,68 KB)
PDFDMC67D8UFDBQ-7 Datasheet Copertura
DMC67D8UFDBQ-7 Datasheet Pagina 2 DMC67D8UFDBQ-7 Datasheet Pagina 3 DMC67D8UFDBQ-7 Datasheet Pagina 4 DMC67D8UFDBQ-7 Datasheet Pagina 5 DMC67D8UFDBQ-7 Datasheet Pagina 6 DMC67D8UFDBQ-7 Datasheet Pagina 7 DMC67D8UFDBQ-7 Datasheet Pagina 8 DMC67D8UFDBQ-7 Datasheet Pagina 9 DMC67D8UFDBQ-7 Datasheet Pagina 10

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • DMC67D8UFDBQ-13 Datasheet
  • where to find DMC67D8UFDBQ-13
  • Diodes Incorporated

  • Diodes Incorporated DMC67D8UFDBQ-13
  • DMC67D8UFDBQ-13 PDF Datasheet
  • DMC67D8UFDBQ-13 Stock

  • DMC67D8UFDBQ-13 Pinout
  • Datasheet DMC67D8UFDBQ-13
  • DMC67D8UFDBQ-13 Supplier

  • Diodes Incorporated Distributor
  • DMC67D8UFDBQ-13 Price
  • DMC67D8UFDBQ-13 Distributor

DMC67D8UFDBQ-13 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie*
Tipo FET-
Funzione FET-
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

I prodotti a cui potresti essere interessato

ALD110908APAL

Advanced Linear Devices Inc.

Produttore

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

EPAD®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Matched Pair

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

10.6V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12mA, 3mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500Ohm @ 4.8V

Vgs (th) (Max) @ Id

810mV @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2.5pF @ 5V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDIP

SH8M24TB1

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

45V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A, 3.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

46mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.6nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

550pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

IRF7319TRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 25V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

SQJ990EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

34A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 6A, 10V, 19mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V, 15nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1390pF @ 25V, 650pF @ 25V

Potenza - Max

48W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® SO-8 Dual

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

DF11MR12W1M1B11BOMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolSiC™+

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Silicon Carbide (SiC)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

50A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 50A, 15V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 20mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

125nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3950pF @ 800V

Potenza - Max

20mW

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

Venduto di recente

MC33161DMR2G

MC33161DMR2G

ON Semiconductor

IC MONITOR VOLTAGE UNIV 8MICRO

IS61WV25616BLL-10TLI

IS61WV25616BLL-10TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

TAJE107M025RNJ

TAJE107M025RNJ

CAP TANT 100UF 20% 25V 2917

PLA10AN3630R3D2B

PLA10AN3630R3D2B

Murata

COMMON MODE CHOKE 300MA 2LN TH

XC6210B302MR-G

XC6210B302MR-G

Torex Semiconductor Ltd

IC REG LINEAR 3V 700MA SOT25

MMA8452QR1

MMA8452QR1

NXP

ACCELEROMETER 2-8G I2C 16QFN

LTM4630AEY#PBF

LTM4630AEY#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 0.6-5.3V

66F070

66F070

Sensata-Airpax

THERMOSTAT 70 DEG NO 8-DIP

RT0603DRD07200RL

RT0603DRD07200RL

Yageo

RES SMD 200 OHM 0.5% 1/10W 0603

B3S-1102

B3S-1102

Omron Electronics Inc-EMC Div

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 24V

MIC2025-1YM

MIC2025-1YM

Microchip Technology

IC SW DISTRIBUTION 1CHAN 8SOIC

CM200C32768AZFT

CM200C32768AZFT

Citizen Finedevice

CRYSTAL 32.7680KHZ 12.5PF SMD