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DMC6070LND-13

DMC6070LND-13

Solo per riferimento

Numero parte DMC6070LND-13
PNEDA Part # DMC6070LND-13
Descrizione MOSFET N/P-CH 60V 8POWERDI
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.034
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 26 - mag 31 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMC6070LND-13 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMC6070LND-13
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
DMC6070LND-13, DMC6070LND-13 Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 629,13 KB)
PDFDMC6070LND-7 Datasheet Copertura
DMC6070LND-7 Datasheet Pagina 2 DMC6070LND-7 Datasheet Pagina 3 DMC6070LND-7 Datasheet Pagina 4 DMC6070LND-7 Datasheet Pagina 5 DMC6070LND-7 Datasheet Pagina 6 DMC6070LND-7 Datasheet Pagina 7 DMC6070LND-7 Datasheet Pagina 8 DMC6070LND-7 Datasheet Pagina 9 DMC6070LND-7 Datasheet Pagina 10 DMC6070LND-7 Datasheet Pagina 11

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  • DMC6070LND-13 Distributor

DMC6070LND-13 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.1A, 2.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs85mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds731pF @ 20V
Potenza - Max1.4W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitorePowerDI3333-8

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Produttore

Micro Commercial Co

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

750mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

380mOhm @ 650mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

120pF @ 16V

Potenza - Max

150mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-563

GWM70-01P2

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo FET

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

70A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

ISOPLUS-DIL™

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

170mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5Ohm @ 100mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.43nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

17pF @ 10V

Potenza - Max

1.06W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-363

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Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

83mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.5nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

140pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

50V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7pF @ 3V

Potenza - Max

200mW (Ta)

Temperatura di esercizio

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Pacchetto / Custodia

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