DMC3016LDV-7
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| Numero parte | DMC3016LDV-7 |
| PNEDA Part # | DMC3016LDV-7 |
| Descrizione | MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333 |
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.598 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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DMC3016LDV-7 Risorse
| Brand | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DMC3016LDV-7 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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DMC3016LDV-7 Specifiche
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo FET | N and P-Channel Complementary |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 21A (Tc), 15A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 7A, 10V, 25mOhm @ 7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.5nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V |
| Potenza - Max | 900mW (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerVDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerDI3333-8 |
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Produttore ON Semiconductor Serie PowerTrench® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 15A Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5245pF @ 30V Potenza - Max 1.1W Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 12-PowerWDFN Pacchetto dispositivo fornitore 12-Power3.3x5 |
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Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo FET N and P-Channel Complementary Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 600mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 620mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.7nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 21.3pF @ 10V Potenza - Max 380mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-XFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore DFN1010B-6 |
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Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs 31mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.6nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 945pF @ 20V Potenza - Max 1.42W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
