DMC2057UVT-7
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| Numero parte | DMC2057UVT-7 |
| PNEDA Part # | DMC2057UVT-7 |
| Descrizione | MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R |
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.622 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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DMC2057UVT-7 Risorse
| Brand | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DMC2057UVT-7 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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DMC2057UVT-7 Specifiche
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Tipo FET | N and P-Channel Complementary |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Ta), 3.3A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 5A, 4.5V, 70mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA, 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5nC @ 10V, 6.5nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 416pF @ 10V, 536pF @ 10V |
| Potenza - Max | 700mW (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TSOT-26 |
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Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 25V, 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 400mA, 3.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 400mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.7nC @ 8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 26.2pF @ 10V Potenza - Max 1.2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore TSOT-26 |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo FET N and P-Channel Complementary Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.5A (Ta), 5A (Tc), 2A (Ta), 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 103mOhm @ 2.5A, 10V, 180mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.4nC @ 10V, 9nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 527pF @ 30V, 436pF @ 30V Potenza - Max 1.4W (Ta), 5.7W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP |
Produttore Micro Commercial Co Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.9nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 10V Potenza - Max - Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-WFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore DFN2030-6 |
Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 45V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 46mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.6nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 550pF @ 10V Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Gen IV Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 10A, 10V, 5.8mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V, 30nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V Potenza - Max 4.3W (Ta), 33W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerWDFN Pacchetto dispositivo fornitore 8-PowerPair® (3.3x3.3) |
