DMC1030UFDB-13
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| Numero parte | DMC1030UFDB-13 |
| PNEDA Part # | DMC1030UFDB-13 |
| Descrizione | MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 |
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.984 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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DMC1030UFDB-13 Risorse
| Brand | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DMC1030UFDB-13 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
DMC1030UFDB-13, DMC1030UFDB-13 Datasheet
(Totale pagine: 9, Dimensioni: 351,95 KB)
  
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DMC1030UFDB-13 Specifiche
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo FET | N and P-Channel Complementary |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 12V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.1A (Ta), 3.9A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 4.6A, 4.5V, 59mOhm @ 3.6A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.2nC @ 4.5V, 13nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1003pF @ 6V, 1028pF @ 6V |
| Potenza - Max | 1.36W (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 6-UDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | U-DFN2020-6 (Type B) |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 220mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 220mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9.5pF @ 10V Potenza - Max 300mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore SC-88 (SC-70-6) |
Produttore ON Semiconductor Serie UltraFET™ Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs 49mOhm @ 5.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 620pF @ 25V Potenza - Max 2.5W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 9.5A (Ta), 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.3mOhm @ 4A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.7nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 15V Potenza - Max 2.16W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerLDFN Pacchetto dispositivo fornitore PowerDI3333-8 (Type D) |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1250pF @ 10V Potenza - Max 450mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP (5.5x6.0) |
