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DMC1028UFDB-7

DMC1028UFDB-7

Solo per riferimento

Numero parte DMC1028UFDB-7
PNEDA Part # DMC1028UFDB-7
Descrizione MOSFET N/P-CH 12V/20V 6UDFN
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 120.420
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 1 - mag 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMC1028UFDB-7 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMC1028UFDB-7
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
DMC1028UFDB-7, DMC1028UFDB-7 Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 660,98 KB)
PDFDMC1028UFDB-13 Datasheet Copertura
DMC1028UFDB-13 Datasheet Pagina 2 DMC1028UFDB-13 Datasheet Pagina 3 DMC1028UFDB-13 Datasheet Pagina 4 DMC1028UFDB-13 Datasheet Pagina 5 DMC1028UFDB-13 Datasheet Pagina 6 DMC1028UFDB-13 Datasheet Pagina 7 DMC1028UFDB-13 Datasheet Pagina 8 DMC1028UFDB-13 Datasheet Pagina 9 DMC1028UFDB-13 Datasheet Pagina 10

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DMC1028UFDB-7 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)12V, 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6A, 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 5.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18.5nC @ 8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds787pF @ 6V
Potenza - Max1.36W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-UDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitoreU-DFN2020-6 (Type B)

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

500mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

450mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.3nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 10V

Potenza - Max

300mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-88 (SC-70-6)

APTM120DU29TG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

34A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

348mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

374nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

10300pF @ 25V

Potenza - Max

780W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP4

Pacchetto dispositivo fornitore

SP4

BTS7904SAKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V, 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

40A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 40µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

123nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6100pF @ 25V

Potenza - Max

69W, 96W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-220-5

Pacchetto dispositivo fornitore

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SIB911DK-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

295mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

115pF @ 10V

Potenza - Max

3.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

630mA, 820mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

375mOhm @ 630mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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