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DKI10526

DKI10526

Solo per riferimento

Numero parte DKI10526
PNEDA Part # DKI10526
Descrizione MOSFET N-CH 100V 19A TO-252
Produttore Sanken
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.744
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 17 - lug 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DKI10526 Risorse

Brand Sanken
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDKI10526
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
DKI10526, DKI10526 Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 517,52 KB)
PDFDKI10526 Datasheet Copertura
DKI10526 Datasheet Pagina 2 DKI10526 Datasheet Pagina 3 DKI10526 Datasheet Pagina 4 DKI10526 Datasheet Pagina 5 DKI10526 Datasheet Pagina 6 DKI10526 Datasheet Pagina 7 DKI10526 Datasheet Pagina 8

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DKI10526 Specifiche

ProduttoreSanken
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C19A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs47.7mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 350µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1530pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)37W (Tc)
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-252
Pacchetto / CustodiaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

70A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.8mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

47nC @ 8V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2385pF @ 6V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.9W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerDI3333-8

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

IXKR40N60C

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

CoolMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

38A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 3mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

250nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

Super Junction

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

ISOPLUS247™

Pacchetto / Custodia

ISOPLUS247™

IRF7468TRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.4A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15.5mOhm @ 9.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2460pF @ 20V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

SDMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Ta), 33A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.1W (Ta), 42W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Serie

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Tipo FET

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Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1830pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

200W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

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