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DF600R12N2E4PB11BPSA1

DF600R12N2E4PB11BPSA1

Solo per riferimento

Numero parte DF600R12N2E4PB11BPSA1
PNEDA Part # DF600R12N2E4PB11BPSA1
Descrizione LOW POWER ECONO
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.022
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DF600R12N2E4PB11BPSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDF600R12N2E4PB11BPSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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DF600R12N2E4PB11BPSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBT-
Configurazione-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)-
Corrente - Collettore (Ic) (Max)-
Potenza - Max-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic-
Corrente - Taglio collettore (Max)-
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce-
Input-
Termistore NTC-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

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Littelfuse

Produttore

Littelfuse Inc.

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Potenza - Max

147W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 25A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

1.81nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

VS-GT100TP60N

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

160A

Potenza - Max

417W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

7.71nF @ 30V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

INT-A-PAK (3 + 4)

Pacchetto dispositivo fornitore

INT-A-PAK

BSM50GD120DLCBOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

85A

Potenza - Max

350W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 50A

Corrente - Taglio collettore (Max)

84µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

3.3nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

APTGT100TL60T3G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Three Level Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150A

Potenza - Max

340W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

6.1nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP3

Pacchetto dispositivo fornitore

SP3

APTGF180DH60G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Asymmetrical Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

220A

Potenza - Max

833W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 180A

Corrente - Taglio collettore (Max)

300µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

8.6nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

SP6

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