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DDTC143XCA-7-F

DDTC143XCA-7-F

Solo per riferimento

Numero parte DDTC143XCA-7-F
PNEDA Part # DDTC143XCA-7-F
Descrizione TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.064
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DDTC143XCA-7-F Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDDTC143XCA-7-F
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato
Datasheet
DDTC143XCA-7-F, DDTC143XCA-7-F Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 240,92 KB)
PDFDDTC144VCA-7 Datasheet Copertura
DDTC144VCA-7 Datasheet Pagina 2 DDTC144VCA-7 Datasheet Pagina 3 DDTC144VCA-7 Datasheet Pagina 4 DDTC144VCA-7 Datasheet Pagina 5 DDTC144VCA-7 Datasheet Pagina 6

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DDTC143XCA-7-F Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo di transistorNPN - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)50V
Resistenza - Base (R1)4.7 kOhms
Resistenza - Base Emettitore (R2)10 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 10mA, 5V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (Max)500nA
Frequenza - Transizione250MHz
Potenza - Max200mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3

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Tipo di transistor

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Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Resistenza - Base (R1)

1 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

10 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

56 @ 50mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Frequenza - Transizione

200MHz

Potenza - Max

200mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Tipo di transistor

NPN - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

10 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

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Produttore

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Serie

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Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

47 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

68 @ 5mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

250MHz

Potenza - Max

200mW

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Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

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Tipo di transistor

NPN - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

100 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

100 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

100mW

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Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

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