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DDB6U180N16RRB37BOSA1

DDB6U180N16RRB37BOSA1

Solo per riferimento

Numero parte DDB6U180N16RRB37BOSA1
PNEDA Part # DDB6U180N16RRB37BOSA1
Descrizione IGBT DDB6U180N16RRB37BOSA1
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.190
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 4 - giu 9 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DDB6U180N16RRB37BOSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDDB6U180N16RRB37BOSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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DDB6U180N16RRB37BOSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie*
Tipo IGBT-
Configurazione-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)-
Corrente - Collettore (Ic) (Max)-
Potenza - Max-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic-
Corrente - Taglio collettore (Max)-
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce-
Input-
Termistore NTC-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaModule
Pacchetto dispositivo fornitoreModule

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FP25R12KT4B16BOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo IGBT

-

Configurazione

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

-

Termistore NTC

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

APTGT300DU60G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Dual, Common Source

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

430A

Potenza - Max

1150W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 300A

Corrente - Taglio collettore (Max)

350µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

24nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP6

Pacchetto dispositivo fornitore

SP6

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Three Phase

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

640A

Potenza - Max

2200W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 450A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

33nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

E+

Pacchetto dispositivo fornitore

E+

FZ3600R12HP4PHPSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Configurazione

Single Switch

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

4930A

Potenza - Max

19000W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 3.6kA

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

AG-IHMB190-2

MG0675S-BN4MM

Littelfuse

Produttore

Littelfuse Inc.

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100A

Potenza - Max

250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 75A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

4.6nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

S-3 Module

Pacchetto dispositivo fornitore

S3

Venduto di recente

T495X107K025ATE150

T495X107K025ATE150

KEMET

CAP TANT 100UF 10% 25V 2917

7447789002

7447789002

Wurth Electronics

FIXED IND 2.2UH 4.02A 23 MOHM

TAJE107M025RNJ

TAJE107M025RNJ

CAP TANT 100UF 20% 25V 2917

TAJD227K010RNJ

TAJD227K010RNJ

CAP TANT 220UF 10% 10V 2917

PI3VDP411LSRZBE

PI3VDP411LSRZBE

Diodes Incorporated

IC DEMULTIPLEXER 48TQFN

B0520LW-7-F

B0520LW-7-F

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD123

CNY75B

CNY75B

Vishay Semiconductor Opto Division

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

IRF9321TRPBF

IRF9321TRPBF

Infineon Technologies

MOSFET P-CH 30V 15A 8-SOIC

SMA6J33A-TR

SMA6J33A-TR

STMicroelectronics

TVS DIODE 33V 60.8V SMA

WSH28185L000FEA

WSH28185L000FEA

Vishay Dale

RES 0.005 OHM 1% 5W 2818

DS1338U-33+

DS1338U-33+

Maxim Integrated

IC RTC CLK/CALENDAR I2C 8-USOP

MT29F2G01AAAEDH4-IT:E

MT29F2G01AAAEDH4-IT:E

Micron Technology Inc.

IC FLASH 2G SPI 63VFBGA