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DDA114TU-7-F

DDA114TU-7-F

Solo per riferimento

Numero parte DDA114TU-7-F
PNEDA Part # DDA114TU-7-F
Descrizione TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 21.936
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 6 - mag 11 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DDA114TU-7-F Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDDA114TU-7-F
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati
Datasheet
DDA114TU-7-F, DDA114TU-7-F Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 416,03 KB)
PDFDDA113TU-7-F Datasheet Copertura
DDA113TU-7-F Datasheet Pagina 2 DDA113TU-7-F Datasheet Pagina 3 DDA113TU-7-F Datasheet Pagina 4 DDA113TU-7-F Datasheet Pagina 5 DDA113TU-7-F Datasheet Pagina 6 DDA113TU-7-F Datasheet Pagina 7

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DDA114TU-7-F Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo di transistor2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)50V
Resistenza - Base (R1)10kOhms
Resistenza - Base Emettitore (R2)-
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 1mA, 5V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic300mV @ 100µA, 1mA
Corrente - Taglio collettore (Max)-
Frequenza - Transizione250MHz
Potenza - Max200mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-363

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Tipo di transistor

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Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

10kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

150mW

Tipo di montaggio

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Serie

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Tipo di transistor

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

10kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Frequenza - Transizione

250MHz

Potenza - Max

150mW

Tipo di montaggio

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Produttore

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Serie

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Tipo di transistor

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

10kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

10kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

35 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

187mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

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Serie

-

Tipo di transistor

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

10kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

150mW

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Resistenza - Base Emettitore (R2)

47kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

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