DD800S17K3_B2
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| Numero parte | DD800S17K3_B2 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | DD800S17K3_B2 | ||||||||||||||||||
| Descrizione | DIODE MODULE GP 1700V 800A | ||||||||||||||||||
| Produttore | Infineon Technologies | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 248 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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DD800S17K3_B2 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DD800S17K3_B2 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Array |
| Datasheet |
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DD800S17K3_B2 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Configurazione diodi | 2 Independent |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 1700V |
| Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | - |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 2.2V @ 800A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 780A @ 900V |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -40°C ~ 125°C |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
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Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Configurazione diodi 1 Pair Common Anode Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 100A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 50A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 25µA @ 50V Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia TO-244AB Pacchetto dispositivo fornitore TO-244 |
