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DD250S65K3NOSA1

DD250S65K3NOSA1

Solo per riferimento

Numero parte DD250S65K3NOSA1
PNEDA Part # DD250S65K3NOSA1
Descrizione DIODE MODULE GP 6500V AIHV130-6
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.690
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 5 - mag 10 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DD250S65K3NOSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDD250S65K3NOSA1
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array
Datasheet
DD250S65K3NOSA1, DD250S65K3NOSA1 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 407,48 KB)
PDFDD250S65K3NOSA1 Datasheet Copertura
DD250S65K3NOSA1 Datasheet Pagina 2 DD250S65K3NOSA1 Datasheet Pagina 3 DD250S65K3NOSA1 Datasheet Pagina 4 DD250S65K3NOSA1 Datasheet Pagina 5 DD250S65K3NOSA1 Datasheet Pagina 6 DD250S65K3NOSA1 Datasheet Pagina 7

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DD250S65K3NOSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Configurazione diodi2 Independent
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)6500V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)-
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If3.5V @ 250A
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr370A @ 3600V
Temperatura di esercizio - Giunzione-50°C ~ 125°C
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaModule
Pacchetto dispositivo fornitoreA-IHV130-6

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GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

80V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

120A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

840mV @ 60A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

3mA @ 20V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Twin Tower

Pacchetto dispositivo fornitore

Twin Tower

SDT10A100CT

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

660mV @ 5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

50µA @ 100V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

SBR10200CT

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

SBR®

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Super Barrier

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

900mV @ 5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

20ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 200V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

VS-40L15CTS-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

15V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

20A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

410mV @ 19A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10mA @ 15V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263AB

SR20100PTHC0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

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Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

20A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

550mV @ 10A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 100V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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