DD1200S12H4
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| Numero parte | DD1200S12H4 |
| PNEDA Part # | DD1200S12H4 |
| Descrizione | DIODE MODULE 1200V 1200A |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.978 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 25 - lug 30 (Scegli Spedizione rapida) |
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DD1200S12H4 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DD1200S12H4 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Array |
| Datasheet |
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DD1200S12H4 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Configurazione diodi | 2 Independent |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 1200V |
| Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | - |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 2.35V @ 1200A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 475A @ 600V |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | AG-IHMB130-2 |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Configurazione diodi 1 Pair Series Connection Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 2000V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 98A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.53V @ 300A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 25mA @ 2000V Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 150°C Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Module Pacchetto dispositivo fornitore Module |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Configurazione diodi 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 60V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 700mV @ 3A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 50V Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 150°C Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore D-PAK (TO-252AA) |
Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Configurazione diodi 1 Pair Common Anode Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 150A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1V @ 150A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 25µA @ 200V Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia TO-244AB Pacchetto dispositivo fornitore TO-244 |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Configurazione diodi 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 35V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 300A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 900mV @ 300A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 10mA @ 35V Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia TO-244AB Pacchetto dispositivo fornitore TO-244AB |
Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Configurazione diodi - Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1600V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 600A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia 3-SMD Module Pacchetto dispositivo fornitore Three Tower |
