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DBLS153GHC1G

DBLS153GHC1G

Solo per riferimento

Numero parte DBLS153GHC1G
PNEDA Part # DBLS153GHC1G
Descrizione BRIDGE RECT 1P 200V 1.5A DBLS
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.534
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DBLS153GHC1G Risorse

Brand Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDBLS153GHC1G
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori a ponte

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DBLS153GHC1G Specifiche

ProduttoreTaiwan Semiconductor Corporation
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo di diodoSingle Phase
TecnologiaStandard
Tensione - Picco inverso (Max)200V
Corrente - Media Rettificata (Io)1.5A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.1V @ 1.5A
Corrente - Perdita inversa @ Vr2µA @ 200V
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia4-SMD, Gull Wing
Pacchetto dispositivo fornitoreDBLS

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Tensione - Picco inverso (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 3.14A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 600V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 165°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

KBPM

Produttore

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Serie

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Tipo di diodo

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Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

1.6kV

Corrente - Media Rettificata (Io)

75A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 25A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

20µA @ 1600V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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Tipo di diodo

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Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 50V

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-EDIP (0.300", 7.62mm)

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Produttore

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Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

25A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 12.5A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 200V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-ESIP

Pacchetto dispositivo fornitore

GBJ

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Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

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Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

10A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 10A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 50V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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