DB3J316N0L
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| Numero parte | DB3J316N0L |
| PNEDA Part # | DB3J316N0L |
| Descrizione | DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SMINI3 |
| Produttore | Panasonic Electronic Components |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 210.702 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 12 - giu 17 (Scegli Spedizione rapida) |
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DB3J316N0L Risorse
| Brand | Panasonic Electronic Components |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DB3J316N0L |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Array |
| Datasheet |
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DB3J316N0L Specifiche
| Produttore | Panasonic Electronic Components |
| Serie | - |
| Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
| Tipo di diodo | Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 30V |
| Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | 100mA |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 550mV @ 100mA |
| Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 800ps |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 15µA @ 30V |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | 125°C (Max) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SC-85 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SMini3-F2-B |
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Produttore Sensata-Crydom Serie - Configurazione diodi 1 Pair Series Connection Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 100A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 100A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 125°C Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Module Pacchetto dispositivo fornitore Module |
Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Configurazione diodi 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 60A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 920mV @ 60A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 1mA @ 200V Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia TO-249AB Pacchetto dispositivo fornitore TO-249AB |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Configurazione diodi 1 Pair Common Anode Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 200A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 300A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 9mA @ 1200V Temperatura di esercizio - Giunzione - Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia D2 Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Configurazione diodi 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 25A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 10A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 50µA @ 1200V Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247 |
