CYD02S36V-167BBXC
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| Numero parte | CYD02S36V-167BBXC |
| PNEDA Part # | CYD02S36V-167BBXC |
| Descrizione | IC SRAM 2M PARALLEL 256FBGA |
| Produttore | Cypress Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.348 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 27 - lug 2 (Scegli Spedizione rapida) |
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CYD02S36V-167BBXC Risorse
| Brand | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | CYD02S36V-167BBXC |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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CYD02S36V-167BBXC Specifiche
| Produttore | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | SRAM |
| Tecnologia | SRAM - Dual Port, Synchronous |
| Dimensione della memoria | 2Mb (64K x 36) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 167MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | 4.4ns |
| Tensione - Alimentazione | 1.7V ~ 1.9V |
| Temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 256-LBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 256-FBGA (17x17) |
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Produttore Micron Technology Inc. Serie * Tipo di memoria - Formato memoria - Tecnologia - Dimensione della memoria - Interfaccia di memoria - Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria 72Mb (2M x 36) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 3.4ns Tensione - Alimentazione 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 165-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore 165-FBGA (15x17) |
Produttore Toshiba Memory America, Inc. Serie Benand™ Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NAND (SLC) Dimensione della memoria 1Gb (128M x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 25ns Tempo di accesso 25ns Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 67-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 67-VFBGA (6.5x8) |
Produttore Micron Technology Inc. Serie e•MMC™ Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NAND Dimensione della memoria 64Gb (8G x 8) Interfaccia di memoria MMC Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -25°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Micron Technology Inc. Serie Axcell™ Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NOR Dimensione della memoria 1Gb (64M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 52MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 100ns Tempo di accesso 100ns Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 2V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 64-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore 64-EasyBGA (8x10) |
