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CY7C1525JV18-250BZXC

CY7C1525JV18-250BZXC

Solo per riferimento

Numero parte CY7C1525JV18-250BZXC
PNEDA Part # CY7C1525JV18-250BZXC
Descrizione IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario
1 ---------- $508,7596
50 ---------- $484,9114
100 ---------- $461,0633
200 ---------- $437,2152
400 ---------- $417,3418
500 ---------- $397,4684
Disponibile 520
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 13 - mag 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CY7C1525JV18-250BZXC Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCY7C1525JV18-250BZXC
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CY7C1525JV18-250BZXC, CY7C1525JV18-250BZXC Datasheet (Totale pagine: 26, Dimensioni: 1.186,34 KB)
PDFCY7C1525JV18-250BZXC Datasheet Copertura
CY7C1525JV18-250BZXC Datasheet Pagina 2 CY7C1525JV18-250BZXC Datasheet Pagina 3 CY7C1525JV18-250BZXC Datasheet Pagina 4 CY7C1525JV18-250BZXC Datasheet Pagina 5 CY7C1525JV18-250BZXC Datasheet Pagina 6 CY7C1525JV18-250BZXC Datasheet Pagina 7 CY7C1525JV18-250BZXC Datasheet Pagina 8 CY7C1525JV18-250BZXC Datasheet Pagina 9 CY7C1525JV18-250BZXC Datasheet Pagina 10 CY7C1525JV18-250BZXC Datasheet Pagina 11

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CY7C1525JV18-250BZXC Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Synchronous, QDR II
Dimensione della memoria72Mb (8M x 9)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock250MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia165-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore165-FBGA (15x17)

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

44-TSOP II

MT48LC2M32B2P-6 IT:G

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

64Mb (2M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

167MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

12ns

Tempo di accesso

5.5ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

86-TSOP II

AT45DB161E-SSHD-B

Adesto Technologies

Produttore

Adesto Technologies

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

16Mb (528 Bytes x 4096 pages)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

85MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

8µs, 4ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

AT49BV002-90VI

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

2Mb (256K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

50µs

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-VSOP

S29GL064S90FHVV10

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-S

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

64Mb (4M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

60ns

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

64-FBGA (13x11)

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