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CY7C1515V18-200BZC

CY7C1515V18-200BZC

Solo per riferimento

Numero parte CY7C1515V18-200BZC
PNEDA Part # CY7C1515V18-200BZC
Descrizione IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.118
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 21 - lug 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CY7C1515V18-200BZC Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCY7C1515V18-200BZC
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CY7C1515V18-200BZC, CY7C1515V18-200BZC Datasheet (Totale pagine: 32, Dimensioni: 733,64 KB)
PDFCY7C1515V18-250BZC Datasheet Copertura
CY7C1515V18-250BZC Datasheet Pagina 2 CY7C1515V18-250BZC Datasheet Pagina 3 CY7C1515V18-250BZC Datasheet Pagina 4 CY7C1515V18-250BZC Datasheet Pagina 5 CY7C1515V18-250BZC Datasheet Pagina 6 CY7C1515V18-250BZC Datasheet Pagina 7 CY7C1515V18-250BZC Datasheet Pagina 8 CY7C1515V18-250BZC Datasheet Pagina 9 CY7C1515V18-250BZC Datasheet Pagina 10 CY7C1515V18-250BZC Datasheet Pagina 11

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CY7C1515V18-200BZC Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Synchronous, QDR II
Dimensione della memoria72Mb (2M x 36)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia165-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore165-FBGA (15x17)

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

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Tipo di memoria

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Formato memoria

FLASH

Tecnologia

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Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8, 256K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

48-TFBGA (6x8)

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Winbond Electronics

Produttore

Winbond Electronics

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

90-TFBGA (8x13)

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Produttore

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

256Mb (16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

12ns

Tempo di accesso

5ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

54-TSOP II

CAT24C208WI-GT3

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

8Kb (256 x 8 x 4)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR4

Dimensione della memoria

32Gb (512M x 64)

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

2133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.1V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

556-WFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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