CY7C1513JV18-300BZXC
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| Numero parte | CY7C1513JV18-300BZXC |
| PNEDA Part # | CY7C1513JV18-300BZXC |
| Descrizione | IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA |
| Produttore | Cypress Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.520 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 16 - giu 21 (Scegli Spedizione rapida) |
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CY7C1513JV18-300BZXC Risorse
| Brand | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | CY7C1513JV18-300BZXC |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
CY7C1513JV18-300BZXC, CY7C1513JV18-300BZXC Datasheet
(Totale pagine: 27, Dimensioni: 666,23 KB)
  
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CY7C1513JV18-300BZXC Specifiche
| Produttore | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | SRAM |
| Tecnologia | SRAM - Synchronous, QDR II |
| Dimensione della memoria | 72Mb (4M x 18) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 300MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | 1.7V ~ 1.9V |
| Temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 165-LBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 165-FBGA (15x17) |
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Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 4Kb (256 x 8 x 2) Interfaccia di memoria I²C Frequenza di clock 1MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 5ms Tempo di accesso 450ns Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-UFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 8-UDFN (2x3) |
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Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria - Formato memoria - Tecnologia - Dimensione della memoria - Interfaccia di memoria - Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, DDR II Dimensione della memoria 36Mb (2M x 18) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 165-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore 165-FBGA (13x15) |
