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CY7C1512AV18-200BZXI

CY7C1512AV18-200BZXI

Solo per riferimento

Numero parte CY7C1512AV18-200BZXI
PNEDA Part # CY7C1512AV18-200BZXI
Descrizione IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario
1 ---------- $1.501,1794
50 ---------- $1.430,8116
100 ---------- $1.360,4438
200 ---------- $1.290,0760
400 ---------- $1.231,4362
500 ---------- $1.172,7964
Disponibile 7.946
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 6 - mag 11 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CY7C1512AV18-200BZXI Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCY7C1512AV18-200BZXI
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CY7C1512AV18-200BZXI, CY7C1512AV18-200BZXI Datasheet (Totale pagine: 24, Dimensioni: 1.090,21 KB)
PDFCY7C1514AV18-250BZI Datasheet Copertura
CY7C1514AV18-250BZI Datasheet Pagina 2 CY7C1514AV18-250BZI Datasheet Pagina 3 CY7C1514AV18-250BZI Datasheet Pagina 4 CY7C1514AV18-250BZI Datasheet Pagina 5 CY7C1514AV18-250BZI Datasheet Pagina 6 CY7C1514AV18-250BZI Datasheet Pagina 7 CY7C1514AV18-250BZI Datasheet Pagina 8 CY7C1514AV18-250BZI Datasheet Pagina 9 CY7C1514AV18-250BZI Datasheet Pagina 10 CY7C1514AV18-250BZI Datasheet Pagina 11

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CY7C1512AV18-200BZXI Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Synchronous, QDR II
Dimensione della memoria72Mb (4M x 18)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia165-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore165-FBGA (15x17)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

16Mb (1M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

143MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.5ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

50-TSOP II

MT48LC16M16A2TG-7E L:D

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

256Mb (16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

14ns

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

54-TSOP II

MT48LC32M8A2P-6A:G TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

256Mb (32M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

167MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

12ns

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

54-TSOP II

CY7C1412BV18-167BZC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, QDR II

Dimensione della memoria

36Mb (2M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

167MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-FBGA (15x17)

MT28EW01GABA1HJS-0AAT TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q100

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

1Gb (128M x 8, 64M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

60ns

Tempo di accesso

105ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

56-TSOP

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