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CY7C1021CV33-12VXI

CY7C1021CV33-12VXI

Solo per riferimento

Numero parte CY7C1021CV33-12VXI
PNEDA Part # CY7C1021CV33-12VXI
Descrizione IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.124
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 22 - lug 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CY7C1021CV33-12VXI Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCY7C1021CV33-12VXI
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CY7C1021CV33-12VXI, CY7C1021CV33-12VXI Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 554,97 KB)
PDFCY7C1021CV33-12BAXIT Datasheet Copertura
CY7C1021CV33-12BAXIT Datasheet Pagina 2 CY7C1021CV33-12BAXIT Datasheet Pagina 3 CY7C1021CV33-12BAXIT Datasheet Pagina 4 CY7C1021CV33-12BAXIT Datasheet Pagina 5 CY7C1021CV33-12BAXIT Datasheet Pagina 6 CY7C1021CV33-12BAXIT Datasheet Pagina 7 CY7C1021CV33-12BAXIT Datasheet Pagina 8 CY7C1021CV33-12BAXIT Datasheet Pagina 9 CY7C1021CV33-12BAXIT Datasheet Pagina 10 CY7C1021CV33-12BAXIT Datasheet Pagina 11

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CY7C1021CV33-12VXI Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria1Mb (64K x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina12ns
Tempo di accesso12ns
Tensione - Alimentazione3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore44-SOJ

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Produttore

Micron Technology Inc.

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Formato memoria

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

1866MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.1V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

-

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-

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Microchip Technology

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

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Maxim Integrated

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Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-P

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

90ns

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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