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CY7C09379V-12AXCT

CY7C09379V-12AXCT

Solo per riferimento

Numero parte CY7C09379V-12AXCT
PNEDA Part # CY7C09379V-12AXCT
Descrizione IC SRAM 576K PARALLEL 100TQFP
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.146
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 15 - lug 20 (Scegli Spedizione rapida)
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CY7C09379V-12AXCT Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCY7C09379V-12AXCT
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CY7C09379V-12AXCT, CY7C09379V-12AXCT Datasheet (Totale pagine: 19, Dimensioni: 549,87 KB)
PDFCY7C09389V-9AXI Datasheet Copertura
CY7C09389V-9AXI Datasheet Pagina 2 CY7C09389V-9AXI Datasheet Pagina 3 CY7C09389V-9AXI Datasheet Pagina 4 CY7C09389V-9AXI Datasheet Pagina 5 CY7C09389V-9AXI Datasheet Pagina 6 CY7C09389V-9AXI Datasheet Pagina 7 CY7C09389V-9AXI Datasheet Pagina 8 CY7C09389V-9AXI Datasheet Pagina 9 CY7C09389V-9AXI Datasheet Pagina 10 CY7C09389V-9AXI Datasheet Pagina 11

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CY7C09379V-12AXCT Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Dual Port, Synchronous
Dimensione della memoria576Kb (32K x 18)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock50MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso12ns
Tensione - Alimentazione3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore100-TQFP (14x14)

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Interfaccia di memoria

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Frequenza di clock

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Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

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Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

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Produttore

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

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Frequenza di clock

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Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

1Kb (128 x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

10MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

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Temperatura di esercizio

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Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

PSRAM

Tecnologia

PSRAM (Pseudo SRAM)

Dimensione della memoria

64Mb (4M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

576Mb (32M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

933MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

10ns

Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

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