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CY7C09279V-12AC

CY7C09279V-12AC

Solo per riferimento

Numero parte CY7C09279V-12AC
PNEDA Part # CY7C09279V-12AC
Descrizione IC SRAM 512K PARALLEL 100TQFP
Produttore Cypress Semiconductor
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Disponibile 7.074
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CY7C09279V-12AC Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCY7C09279V-12AC
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CY7C09279V-12AC, CY7C09279V-12AC Datasheet (Totale pagine: 19, Dimensioni: 549,87 KB)
PDFCY7C09389V-9AXI Datasheet Copertura
CY7C09389V-9AXI Datasheet Pagina 2 CY7C09389V-9AXI Datasheet Pagina 3 CY7C09389V-9AXI Datasheet Pagina 4 CY7C09389V-9AXI Datasheet Pagina 5 CY7C09389V-9AXI Datasheet Pagina 6 CY7C09389V-9AXI Datasheet Pagina 7 CY7C09389V-9AXI Datasheet Pagina 8 CY7C09389V-9AXI Datasheet Pagina 9 CY7C09389V-9AXI Datasheet Pagina 10 CY7C09389V-9AXI Datasheet Pagina 11

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CY7C09279V-12AC Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Dual Port, Synchronous
Dimensione della memoria512Kb (32K x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock50MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso12ns
Tensione - Alimentazione3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore100-TQFP (14x14)

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-LFSOP (0.465", 11.80mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-sTSOP I

7008S35J

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

512Kb (64K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

35ns

Tempo di accesso

35ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

84-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

84-PLCC (29.21x29.21)

DS1220AD-100IND

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Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

100ns

Tempo di accesso

100ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

24-DIP Module (0.600", 15.24mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

24-EDIP

CY7C1441KV25-133BZXI

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

36Mb (1M x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

6.5ns

Tensione - Alimentazione

2.375V ~ 2.625V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

2Tb (256G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

167MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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