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CY7C09089V-6AXC

CY7C09089V-6AXC

Solo per riferimento

Numero parte CY7C09089V-6AXC
PNEDA Part # CY7C09089V-6AXC
Descrizione IC SRAM 512K PARALLEL 100TQFP
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.410
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CY7C09089V-6AXC Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCY7C09089V-6AXC
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CY7C09089V-6AXC, CY7C09089V-6AXC Datasheet (Totale pagine: 21, Dimensioni: 592,51 KB)
PDFCY7C09089V-12AXI Datasheet Copertura
CY7C09089V-12AXI Datasheet Pagina 2 CY7C09089V-12AXI Datasheet Pagina 3 CY7C09089V-12AXI Datasheet Pagina 4 CY7C09089V-12AXI Datasheet Pagina 5 CY7C09089V-12AXI Datasheet Pagina 6 CY7C09089V-12AXI Datasheet Pagina 7 CY7C09089V-12AXI Datasheet Pagina 8 CY7C09089V-12AXI Datasheet Pagina 9 CY7C09089V-12AXI Datasheet Pagina 10 CY7C09089V-12AXI Datasheet Pagina 11

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CY7C09089V-6AXC Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Dual Port, Synchronous
Dimensione della memoria512Kb (64K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso6.5ns
Tensione - Alimentazione3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore100-TQFP (14x14)

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

256Gb (32G x 8)

Interfaccia di memoria

MMC

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

169-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

169-TFBGA (14x18)

MT53D4DCFL-DC

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MT46V32M8TG-75Z:G

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR

Dimensione della memoria

256Mb (32M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

750ps

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 2.7V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

66-TSOP

CY7C1612KV18-300BZXI

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, QDR II

Dimensione della memoria

144Mb (8M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

300MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-FBGA (15x17)

MT41J128M16HA-15E:D

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3

Dimensione della memoria

2Gb (128M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

667MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

13.5ns

Tensione - Alimentazione

1.425V ~ 1.575V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

96-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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