CY7C0832V-133AXI
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| Numero parte | CY7C0832V-133AXI |
| PNEDA Part # | CY7C0832V-133AXI |
| Descrizione | IC SRAM 4.5M PARALLEL 120TQFP |
| Produttore | Cypress Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.282 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 11 - giu 16 (Scegli Spedizione rapida) |
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CY7C0832V-133AXI Risorse
| Brand | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | CY7C0832V-133AXI |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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CY7C0832V-133AXI Specifiche
| Produttore | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | SRAM |
| Tecnologia | SRAM - Dual Port, Synchronous |
| Dimensione della memoria | 4.5Mb (256K x 18) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 133MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | 3.135V ~ 3.465V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 120-LQFP |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 120-TQFP (14x14) |
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Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie * Tipo di memoria - Formato memoria - Tecnologia - Dimensione della memoria - Interfaccia di memoria - Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore AKM Semiconductor Inc. Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 1Kb (64 x 16) Interfaccia di memoria SPI Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 0.9V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -10°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore 8-TSSOP |
Produttore Winbond Electronics Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NOR Dimensione della memoria 256Mb (32M x 8, 16M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 90ns Tempo di accesso 90ns Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 64-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore 64-LFBGA (11x13) |
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