CY62137VLL-70ZSXE
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| Numero parte | CY62137VLL-70ZSXE |
| PNEDA Part # | CY62137VLL-70ZSXE |
| Descrizione | IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II |
| Produttore | Cypress Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.392 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 23 - lug 28 (Scegli Spedizione rapida) |
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CY62137VLL-70ZSXE Risorse
| Brand | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | CY62137VLL-70ZSXE |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
CY62137VLL-70ZSXE, CY62137VLL-70ZSXE Datasheet
(Totale pagine: 11, Dimensioni: 291,69 KB)
  
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CY62137VLL-70ZSXE Specifiche
| Produttore | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | MoBL® |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | SRAM |
| Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
| Dimensione della memoria | 2Mb (128K x 16) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 70ns |
| Tempo di accesso | 70ns |
| Tensione - Alimentazione | 2.7V ~ 3.6V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 44-TSOP II |
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Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NOR Dimensione della memoria 128Mb (16M x 8) Interfaccia di memoria SPI Frequenza di clock 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 8ms, 2.8ms Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 24-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore 24-T-PBGA (6x8) |
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Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH Dimensione della memoria 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 10ms Tempo di accesso 150ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 28-DIP (0.600", 15.24mm) Pacchetto dispositivo fornitore 28-PDIP |
Produttore Micron Technology Inc. Serie Automotive, AEC-Q100 Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM Dimensione della memoria 64Mb (4M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 12ns Tempo di accesso 5.4ns Tensione - Alimentazione 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 54-TSOP II |
