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CY62137CV30LL-70BVXET

CY62137CV30LL-70BVXET

Solo per riferimento

Numero parte CY62137CV30LL-70BVXET
PNEDA Part # CY62137CV30LL-70BVXET
Descrizione IC SRAM 2M PARALLEL 48VFBGA
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.346
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CY62137CV30LL-70BVXET Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCY62137CV30LL-70BVXET
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CY62137CV30LL-70BVXET, CY62137CV30LL-70BVXET Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 620,61 KB)
PDFCY62137CVSL-70BAXIT Datasheet Copertura
CY62137CVSL-70BAXIT Datasheet Pagina 2 CY62137CVSL-70BAXIT Datasheet Pagina 3 CY62137CVSL-70BAXIT Datasheet Pagina 4 CY62137CVSL-70BAXIT Datasheet Pagina 5 CY62137CVSL-70BAXIT Datasheet Pagina 6 CY62137CVSL-70BAXIT Datasheet Pagina 7 CY62137CVSL-70BAXIT Datasheet Pagina 8 CY62137CVSL-70BAXIT Datasheet Pagina 9 CY62137CVSL-70BAXIT Datasheet Pagina 10 CY62137CVSL-70BAXIT Datasheet Pagina 11

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CY62137CV30LL-70BVXET Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
SerieMoBL®
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria2Mb (128K x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina70ns
Tempo di accesso70ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.3V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia48-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore48-VFBGA (6x8)

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Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

18Mb (512K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

250MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

6.3ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

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Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

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Frequenza di clock

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Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

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Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

256Mb (16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

143MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

54-TFBGA (8x8)

MT53B4DCNK-DC TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR4

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

366-WFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

366-WFBGA (15x15)

IS43TR82560B-15HBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3

Dimensione della memoria

2Gb (256M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

667MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.425V ~ 1.575V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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