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CY62128BNLL-55ZXI

CY62128BNLL-55ZXI

Solo per riferimento

Numero parte CY62128BNLL-55ZXI
PNEDA Part # CY62128BNLL-55ZXI
Descrizione IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.816
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CY62128BNLL-55ZXI Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCY62128BNLL-55ZXI
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CY62128BNLL-55ZXI, CY62128BNLL-55ZXI Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 943,27 KB)
PDFCY62128BNLL-55ZXI Datasheet Copertura
CY62128BNLL-55ZXI Datasheet Pagina 2 CY62128BNLL-55ZXI Datasheet Pagina 3 CY62128BNLL-55ZXI Datasheet Pagina 4 CY62128BNLL-55ZXI Datasheet Pagina 5 CY62128BNLL-55ZXI Datasheet Pagina 6 CY62128BNLL-55ZXI Datasheet Pagina 7 CY62128BNLL-55ZXI Datasheet Pagina 8 CY62128BNLL-55ZXI Datasheet Pagina 9 CY62128BNLL-55ZXI Datasheet Pagina 10 CY62128BNLL-55ZXI Datasheet Pagina 11

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CY62128BNLL-55ZXI Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
SerieMoBL®
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria1Mb (128K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina55ns
Tempo di accesso55ns
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore32-TSOP I

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Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

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2Gb (256M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

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Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR4

Dimensione della memoria

16Gb (256M x 64)

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

1600MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.1V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20ms

Tempo di accesso

200ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-TSOP

AS4C64M8D2-25BAN

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Produttore

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR2

Dimensione della memoria

512Mb (64M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

400ps

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

60-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

60-FBGA (8x10)

MT29F1G08ABAEAH4-IT:E

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

1Gb (128M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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