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CY62126DV30L-55BVXE

CY62126DV30L-55BVXE

Solo per riferimento

Numero parte CY62126DV30L-55BVXE
PNEDA Part # CY62126DV30L-55BVXE
Descrizione IC SRAM 1M PARALLEL 48VFBGA
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.244
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CY62126DV30L-55BVXE Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCY62126DV30L-55BVXE
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CY62126DV30L-55BVXE, CY62126DV30L-55BVXE Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 364,89 KB)
PDFCY62126DV30L-55ZSXET Datasheet Copertura
CY62126DV30L-55ZSXET Datasheet Pagina 2 CY62126DV30L-55ZSXET Datasheet Pagina 3 CY62126DV30L-55ZSXET Datasheet Pagina 4 CY62126DV30L-55ZSXET Datasheet Pagina 5 CY62126DV30L-55ZSXET Datasheet Pagina 6 CY62126DV30L-55ZSXET Datasheet Pagina 7 CY62126DV30L-55ZSXET Datasheet Pagina 8 CY62126DV30L-55ZSXET Datasheet Pagina 9 CY62126DV30L-55ZSXET Datasheet Pagina 10 CY62126DV30L-55ZSXET Datasheet Pagina 11

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CY62126DV30L-55BVXE Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
SerieMoBL®
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria1Mb (64K x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina55ns
Tempo di accesso55ns
Tensione - Alimentazione2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia48-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore48-VFBGA (6x8)

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

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Parallel

Frequenza di clock

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Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Microchip Technology

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Tipo di memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

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Frequenza di clock

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

128Kb (16K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

550ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-UFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-UDFN (2x3)

MT40A2G4TRF-093E:A

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR4

Dimensione della memoria

8Gb (2G x 4)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

1067MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.14V ~ 1.26V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

78-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

8Mb (512K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

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Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

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Tempo di accesso

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