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CY62126DV30L-55BVXE

CY62126DV30L-55BVXE

Solo per riferimento

Numero parte CY62126DV30L-55BVXE
PNEDA Part # CY62126DV30L-55BVXE
Descrizione IC SRAM 1M PARALLEL 48VFBGA
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.244
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 25 - lug 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CY62126DV30L-55BVXE Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCY62126DV30L-55BVXE
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CY62126DV30L-55BVXE, CY62126DV30L-55BVXE Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 364,89 KB)
PDFCY62126DV30L-55ZSXET Datasheet Copertura
CY62126DV30L-55ZSXET Datasheet Pagina 2 CY62126DV30L-55ZSXET Datasheet Pagina 3 CY62126DV30L-55ZSXET Datasheet Pagina 4 CY62126DV30L-55ZSXET Datasheet Pagina 5 CY62126DV30L-55ZSXET Datasheet Pagina 6 CY62126DV30L-55ZSXET Datasheet Pagina 7 CY62126DV30L-55ZSXET Datasheet Pagina 8 CY62126DV30L-55ZSXET Datasheet Pagina 9 CY62126DV30L-55ZSXET Datasheet Pagina 10 CY62126DV30L-55ZSXET Datasheet Pagina 11

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CY62126DV30L-55BVXE Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
SerieMoBL®
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria1Mb (64K x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina55ns
Tempo di accesso55ns
Tensione - Alimentazione2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia48-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore48-VFBGA (6x8)

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Produttore

Microchip Technology

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

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2Mb (256K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

120ns

Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3L

Dimensione della memoria

4Gb (256M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

667MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.283V ~ 1.45V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

96-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

96-TWBGA (9x13)

THGBMHG7C1LBAIL

Toshiba Memory America, Inc.

Produttore

Toshiba Memory America, Inc.

Serie

e•MMC™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

128Gb (16G x 8)

Interfaccia di memoria

eMMC

Frequenza di clock

52MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

153-WFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

153-WFBGA (11.5x13)

MT48LC16M16A2P-7E AIT:G

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

256Mb (16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

14ns

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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MT40A2G4TRF-093E:A

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR4

Dimensione della memoria

8Gb (2G x 4)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

1067MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.14V ~ 1.26V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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