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CY14E256L-SZ25XCT

CY14E256L-SZ25XCT

Solo per riferimento

Numero parte CY14E256L-SZ25XCT
PNEDA Part # CY14E256L-SZ25XCT
Descrizione IC NVSRAM 256K PARALLEL 32SOIC
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.526
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 15 - lug 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CY14E256L-SZ25XCT Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCY14E256L-SZ25XCT
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CY14E256L-SZ25XCT, CY14E256L-SZ25XCT Datasheet (Totale pagine: 19, Dimensioni: 871,26 KB)
PDFCY14E256L-SZ45XCT Datasheet Copertura
CY14E256L-SZ45XCT Datasheet Pagina 2 CY14E256L-SZ45XCT Datasheet Pagina 3 CY14E256L-SZ45XCT Datasheet Pagina 4 CY14E256L-SZ45XCT Datasheet Pagina 5 CY14E256L-SZ45XCT Datasheet Pagina 6 CY14E256L-SZ45XCT Datasheet Pagina 7 CY14E256L-SZ45XCT Datasheet Pagina 8 CY14E256L-SZ45XCT Datasheet Pagina 9 CY14E256L-SZ45XCT Datasheet Pagina 10 CY14E256L-SZ45XCT Datasheet Pagina 11

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CY14E256L-SZ25XCT Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaNVSRAM
TecnologiaNVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Dimensione della memoria256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina25ns
Tempo di accesso25ns
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia32-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore32-SOIC

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

512Kb (32K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Micron Technology Inc.

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

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Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

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Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 2.7V

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Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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66-TSOP

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3

Dimensione della memoria

2Gb (128M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

800MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.425V ~ 1.575V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

96-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

96-TWBGA (9x13)

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

4Kb (512 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

100kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

4.5Mb (128K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

10ns

Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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