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CY14B256L-SP35XC

CY14B256L-SP35XC

Solo per riferimento

Numero parte CY14B256L-SP35XC
PNEDA Part # CY14B256L-SP35XC
Descrizione IC NVSRAM 256K PARALLEL 48SSOP
Produttore Cypress Semiconductor
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Disponibile 8.712
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CY14B256L-SP35XC Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCY14B256L-SP35XC
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CY14B256L-SP35XC, CY14B256L-SP35XC Datasheet (Totale pagine: 19, Dimensioni: 1.085,48 KB)
PDFCY14B256L-SZ45XIT Datasheet Copertura
CY14B256L-SZ45XIT Datasheet Pagina 2 CY14B256L-SZ45XIT Datasheet Pagina 3 CY14B256L-SZ45XIT Datasheet Pagina 4 CY14B256L-SZ45XIT Datasheet Pagina 5 CY14B256L-SZ45XIT Datasheet Pagina 6 CY14B256L-SZ45XIT Datasheet Pagina 7 CY14B256L-SZ45XIT Datasheet Pagina 8 CY14B256L-SZ45XIT Datasheet Pagina 9 CY14B256L-SZ45XIT Datasheet Pagina 10 CY14B256L-SZ45XIT Datasheet Pagina 11

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CY14B256L-SP35XC Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaNVSRAM
TecnologiaNVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Dimensione della memoria256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina35ns
Tempo di accesso35ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia48-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore48-SSOP

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR

Dimensione della memoria

256Mb (16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

700ps

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 2.7V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

66-TSOP II

MTFC64GAPALNA-AIT ES

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MT47H64M8CF-25E L:G

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR2

Dimensione della memoria

512Mb (64M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

400ps

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

60-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

60-FBGA (8x10)

CY7C056V-12AXC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

576Kb (16K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

12ns

Tempo di accesso

12ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EPROM

Tecnologia

EPROM - OTP

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

150ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

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