CSD87335Q3DT
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| Numero parte | CSD87335Q3DT |
| PNEDA Part # | CSD87335Q3DT |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 25A |
| Produttore | Texas Instruments |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 14.808 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida) |
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CSD87335Q3DT Risorse
| Brand | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | CSD87335Q3DT |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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CSD87335Q3DT Specifiche
| Produttore | |
| Serie | NexFET™ |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 25A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.9V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.4nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1050pF @ 15V |
| Potenza - Max | 6W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerLDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-LSON (3.3x3.3) |
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Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1A Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 1.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 87pF @ 20V Potenza - Max 320mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-363 |
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