CSD86330Q3D
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| Numero parte | CSD86330Q3D | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | CSD86330Q3D | ||||||||||||||||||
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON | ||||||||||||||||||
| Produttore | Texas Instruments | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 6.998 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | mag 28 - giu 2 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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CSD86330Q3D Risorse
| Brand | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | CSD86330Q3D |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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CSD86330Q3D Specifiche
| Produttore | |
| Serie | NexFET™ |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 25V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.6mOhm @ 14A, 8V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 920pF @ 12.5V |
| Potenza - Max | 6W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerLDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-LSON (3.3x3.3) |
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