CSD17579Q3AT
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| Numero parte | CSD17579Q3AT |
| PNEDA Part # | CSD17579Q3AT |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON |
| Produttore | Texas Instruments |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 52.332 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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CSD17579Q3AT Risorse
| Brand | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | CSD17579Q3AT |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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CSD17579Q3AT Specifiche
| Produttore | |
| Serie | NexFET™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.2mOhm @ 8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.9V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 998pF @ 15V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.2W (Ta), 29W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-VSONP (3x3.15) |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerVDFN |
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