Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

CSD17382F4

CSD17382F4

Solo per riferimento

Numero parte CSD17382F4
PNEDA Part # CSD17382F4
Descrizione MOSFET N-CH 30V 2.3A LGA
Produttore Texas Instruments
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 332.808
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CSD17382F4 Risorse

Brand Texas Instruments
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCSD17382F4
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • CSD17382F4 Datasheet
  • where to find CSD17382F4
  • Texas Instruments

  • Texas Instruments CSD17382F4
  • CSD17382F4 PDF Datasheet
  • CSD17382F4 Stock

  • CSD17382F4 Pinout
  • Datasheet CSD17382F4
  • CSD17382F4 Supplier

  • Texas Instruments Distributor
  • CSD17382F4 Price
  • CSD17382F4 Distributor

CSD17382F4 Specifiche

Produttore
SerieFemtoFET™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.3A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs64mOhm @ 500mA, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.7nC @ 4.5V
Vgs (massimo)10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds347pF @ 15V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)500mW (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore3-PICOSTAR
Pacchetto / Custodia3-XFDFN

I prodotti a cui potresti essere interessato

IPD65R1K4CFDATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.8A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

262pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

28.4W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO252-3

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

STP18N65M2

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ M2

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

330mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

770pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

110W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

BSZ100N03MSGATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Ta), 40A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.1mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1700pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.1W (Ta), 30W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TSDSON-8

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

DMN4034SSS-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.4A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

34mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

453pF @ 20V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.56W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

AOTF4T60P

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.1Ohm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

522pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

35W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3F

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

Venduto di recente

7A-8.000MAAE-T

7A-8.000MAAE-T

TXC

CRYSTAL 8.0000MHZ 12PF SMD

SI9706DY-T1-E3

SI9706DY-T1-E3

Vishay Siliconix

IC PCMCIA INTFACE SW 8SO

2920L150DR

2920L150DR

Littelfuse

PTC RESET FUSE 33V 1.5A 2920

MF-USMF050-2

MF-USMF050-2

Bourns

PTC RESET FUSE 13.2V 500MA 1210

LNBH25LSPQR

LNBH25LSPQR

STMicroelectronics

IC REG CONV SAT TV 1OUT 24QFN

S25FL208K0RMFI041

S25FL208K0RMFI041

Cypress Semiconductor

IC FLASH 8M SPI 76MHZ 8SOIC

BCM59111KMLG

BCM59111KMLG

Broadcom

QUAD IEEE802.3AT PSE CONTROLLER

CXA-0359

CXA-0359

TDK

INVERTER DC/DC

PS2801C-4-A

PS2801C-4-A

CEL

OPTOISO 2.5KV 4CH TRANS 16SSOP

74438356150

74438356150

Wurth Electronics

FIXED IND 15UH 1.9A 230MOHM SMD

BSS138

BSS138

MICROSS/On Semiconductor

MOSFET N-CH 50V 220MA DIE

2N7002-7-F

2N7002-7-F

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3