CPH3910-TL-E
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| Numero parte | CPH3910-TL-E |
| PNEDA Part # | CPH3910-TL-E |
| Descrizione | MOSFET N-CH 25V .04A CPH3 |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 127.476 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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CPH3910-TL-E Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | CPH3910-TL-E |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - JFET |
| Datasheet |
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CPH3910-TL-E Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | 25V |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 25V |
| Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 20mA @ 5V |
| Corrente assorbita (Id) - Max | 50mA |
| Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id | 1.8V @ 100µA |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6pF @ 5V |
| Resistenza - RDS (On) | - |
| Potenza - Max | 400mW |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 3-CPH |
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Produttore ON Semiconductor Serie * Tipo FET - Tensione - Guasto (V (BR) GSS) - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) - Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore NXP USA Inc. Serie - Tipo FET P-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 30V Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 20mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 5V @ 10nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8pF @ 10V (VGS) Resistenza - RDS (On) 85 Ohms Potenza - Max 300mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23 (TO-236AB) |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 40V Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 15mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 2V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 16pF @ 20V Resistenza - RDS (On) 50 Ohms Potenza - Max 625mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 50V Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 2.6mA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 1.5V @ 100nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 13pF @ 10V Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max 100mW Temperatura di esercizio 125°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore SC-70 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) - Tensione Drain to Source (Vdss) 25V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 1mA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 2.5V @ 0.5nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5pF @ 10V Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max 225mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3 (TO-236) |
