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CPC3720C

CPC3720C

Solo per riferimento

Numero parte CPC3720C
PNEDA Part # CPC3720C
Descrizione MOSFET N-CH 350V SOT89
Produttore IXYS Integrated Circuits Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.358
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 17 - mag 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CPC3720C Risorse

Brand IXYS Integrated Circuits Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCPC3720C
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
CPC3720C, CPC3720C Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 113,67 KB)
PDFCPC3720C Datasheet Copertura
CPC3720C Datasheet Pagina 2 CPC3720C Datasheet Pagina 3 CPC3720C Datasheet Pagina 4 CPC3720C Datasheet Pagina 5

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CPC3720C Specifiche

ProduttoreIXYS Integrated Circuits Division
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)350V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs22Ohm @ 130mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (massimo)±15V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds350pF @ 25V
Funzione FETDepletion Mode
Dissipazione di potenza (max)1.4W (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 125°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-89
Pacchetto / CustodiaTO-243AA

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Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

30A (Ta), 80A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.2mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

39.8nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2500pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-HSOP

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

PSMN013-60YLX

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

53A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33.2nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2603pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

95W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

LFPAK56, Power-SO8

Pacchetto / Custodia

SC-100, SOT-669

IRF3709ZPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

87A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.3mOhm @ 21A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.25V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2130pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

79W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

GA10SICP12-263

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

-

Tecnologia

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

25A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 10A

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1403pF @ 800V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

170W (Tc)

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Tipo FET

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Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

450V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

90mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50Ohm @ 100mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

70pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

700mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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