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CP373-CTLDM303N-CT

CP373-CTLDM303N-CT

Solo per riferimento

Numero parte CP373-CTLDM303N-CT
PNEDA Part # CP373-CTLDM303N-CT
Descrizione MOSFET TRANSISTOR N-CH CHIP
Produttore Central Semiconductor Corp
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.454
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Consegna stimata mag 17 - mag 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CP373-CTLDM303N-CT Risorse

Brand Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCP373-CTLDM303N-CT
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
CP373-CTLDM303N-CT, CP373-CTLDM303N-CT Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 873,29 KB)
PDFCP373-CTLDM303N-WN Datasheet Copertura
CP373-CTLDM303N-WN Datasheet Pagina 2 CP373-CTLDM303N-WN Datasheet Pagina 3 CP373-CTLDM303N-WN Datasheet Pagina 4 CP373-CTLDM303N-WN Datasheet Pagina 5

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  • CP373-CTLDM303N-CT Distributor

CP373-CTLDM303N-CT Specifiche

ProduttoreCentral Semiconductor Corp
Serie*
Tipo FET-
Tecnologia-
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (massimo)-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto dispositivo fornitore-
Pacchetto / Custodia-

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

IXYS

Serie

TrenchMV™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

130A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.1mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

104nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5080pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

360W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263 (IXTA)

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

UPA2822T1L-E1-AT

Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

34A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.6mOhm @ 34A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

83nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4660pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.5W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-HWSON (3.3x3.3)

Pacchetto / Custodia

8-PowerWDFN

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

37.6A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

53.7nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3600pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

62.5W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-HVSON (6x5)

Pacchetto / Custodia

8-VDFN Exposed Pad

Produttore

IXYS

Serie

HiPerFET™, PolarP2™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1000V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.3A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.8Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33.4nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1830pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

42W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220 Isolated Tab

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

IPL60R185C7AUMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ C7

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

13A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

185mOhm @ 5.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 260µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1080pF @ 400V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

77W (Tc)

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-VSON-4

Pacchetto / Custodia

4-PowerTSFN

Venduto di recente

MAX1044ESA+

MAX1044ESA+

Maxim Integrated

IC REG CHARG PUMP INV 20MA 8SOIC

LT3010EMS8E#TRPBF

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Linear Technology/Analog Devices

IC REG LINEAR POS ADJ 50MA 8MSOP

NDT454P

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ON Semiconductor

MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-223

USBUF01W6

USBUF01W6

STMicroelectronics

FILTER RC(PI) 33 OHM/47PF SMD

AT91FR40162S-CJ

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Microchip Technology

IC MCU 16/32BIT 2MB FLASH 121BGA

LTM4616EV#PBF

LTM4616EV#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 0.6-5V 0.6-5V

LTST-C191KRKT

LTST-C191KRKT

Lite-On Inc.

LED RED CLEAR SMD

FAN3111ESX

FAN3111ESX

ON Semiconductor

IC GATE DVR SGL 1A EXTER SOT23-5

LV8727-E

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ON Semiconductor

IC MTR DRVR BIPOLAR 0V-5V 25HZIP

ADP5052ACPZ-R7

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Analog Devices

IC REG 5OUT BCK/LNR SYNC 48LFCSP

MMSS8550-L-TP

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TRANS PNP 25V 1.5A SOT-23

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MLX90614ESF-DCI-000-SP

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