CMF10120D
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| Numero parte | CMF10120D |
| PNEDA Part # | CMF10120D |
| Descrizione | MOSFET N-CH 1200V 24A TO247 |
| Produttore | Cree/Wolfspeed |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.346 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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CMF10120D Risorse
| Brand | Cree/Wolfspeed |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | CMF10120D |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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CMF10120D Specifiche
| Produttore | Cree/Wolfspeed |
| Serie | Z-FET™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 1200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 24A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220mOhm @ 10A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 500µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47.1nC @ 20V |
| Vgs (massimo) | +25V, -5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 928pF @ 800V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 134W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 135°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
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Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 55A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 29A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140nC @ 5V Vgs (massimo) ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3700pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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