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CE3521M4-C2

CE3521M4-C2

Solo per riferimento

Numero parte CE3521M4-C2
PNEDA Part # CE3521M4-C2
Descrizione RF FET 4V 20GHZ SOT343
Produttore CEL
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.128
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CE3521M4-C2 Risorse

Brand CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCE3521M4-C2
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - RF
Datasheet
CE3521M4-C2, CE3521M4-C2 Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 757,11 KB)
PDFCE3521M4 Datasheet Copertura
CE3521M4 Datasheet Pagina 2 CE3521M4 Datasheet Pagina 3 CE3521M4 Datasheet Pagina 4 CE3521M4 Datasheet Pagina 5 CE3521M4 Datasheet Pagina 6 CE3521M4 Datasheet Pagina 7 CE3521M4 Datasheet Pagina 8

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CE3521M4-C2 Specifiche

ProduttoreCEL
Serie-
Tipo di transistorpHEMT FET
Frequenza20GHz
Guadagno11.9dB
Tensione - Test2V
Corrente nominale (Amp)15mA
Figura di rumore1.05dB
Corrente - Test10mA
Potenza - Uscita125mW
Tensione - Nominale4V
Pacchetto / CustodiaSC-82A, SOT-343
Pacchetto dispositivo fornitore4-Super Mini Mold

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Corrente nominale (Amp)

-

Figura di rumore

-

Corrente - Test

500mA

Potenza - Uscita

63W

Tensione - Nominale

65V

Pacchetto / Custodia

NI-1230-4LS2L

Pacchetto dispositivo fornitore

NI-1230-4LS2L

PTFA210701EV4R250XTMA1

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

LDMOS

Frequenza

2.14GHz

Guadagno

16.5dB

Tensione - Test

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Corrente nominale (Amp)

10µA

Figura di rumore

-

Corrente - Test

550mA

Potenza - Uscita

18W

Tensione - Nominale

65V

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Guadagno

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Tensione - Test

50V

Corrente nominale (Amp)

27.3A

Figura di rumore

-

Corrente - Test

400mA

Potenza - Uscita

500W

Tensione - Nominale

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

LDMOS

Frequenza

2.11GHz ~ 2.17GHz

Guadagno

12.5dB

Tensione - Test

28V

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-

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-

Corrente - Test

1.3A

Potenza - Uscita

33W

Tensione - Nominale

65V

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

NI-880S

VRF151G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

2 N-Channel (Dual) Common Source

Frequenza

175MHz

Guadagno

16dB

Tensione - Test

50V

Corrente nominale (Amp)

36A

Figura di rumore

-

Corrente - Test

500mA

Potenza - Uscita

300W

Tensione - Nominale

170V

Pacchetto / Custodia

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