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CAV93C86YE-GT3

CAV93C86YE-GT3

Solo per riferimento

Numero parte CAV93C86YE-GT3
PNEDA Part # CAV93C86YE-GT3
Descrizione IC EEPROM 16K SPI 2MHZ 8TSSOP
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.852
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 5 - lug 10 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CAV93C86YE-GT3 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCAV93C86YE-GT3
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CAV93C86YE-GT3, CAV93C86YE-GT3 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 233,5 KB)
PDFCAV93C86YE-GT3 Datasheet Copertura
CAV93C86YE-GT3 Datasheet Pagina 2 CAV93C86YE-GT3 Datasheet Pagina 3 CAV93C86YE-GT3 Datasheet Pagina 4 CAV93C86YE-GT3 Datasheet Pagina 5 CAV93C86YE-GT3 Datasheet Pagina 6 CAV93C86YE-GT3 Datasheet Pagina 7 CAV93C86YE-GT3 Datasheet Pagina 8 CAV93C86YE-GT3 Datasheet Pagina 9

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CAV93C86YE-GT3 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q100
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria16Kb (2K x 8, 1K x 16)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock2MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-TSSOP

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Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

128Kb (8K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

15ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x14)

IS42RM16160K-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile

Dimensione della memoria

256Mb (16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.5ns

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 3V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

54-TFBGA (8x8)

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Produttore

Adesto Technologies

Serie

Mavriq™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

CBRAM®

Tecnologia

CBRAM

Dimensione della memoria

64kb (32B Page Size)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

100µs, 2.5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-UFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-UDFN (2x3)

AT24C32AW-10SU-2.7

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

32Kb (4K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

AT49LW080-33TC-T

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

8Mb (1M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

33MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

300µs

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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