Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

CAV25M01YE-GT3

CAV25M01YE-GT3

Solo per riferimento

Numero parte CAV25M01YE-GT3
PNEDA Part # CAV25M01YE-GT3
Descrizione IC EEPROM 1M SPI 10MHZ 8TSSOP
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.796
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 25 - mag 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CAV25M01YE-GT3 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCAV25M01YE-GT3
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CAV25M01YE-GT3, CAV25M01YE-GT3 Datasheet (Totale pagine: 15, Dimensioni: 311,92 KB)
PDFCAV25M01YE-GT3 Datasheet Copertura
CAV25M01YE-GT3 Datasheet Pagina 2 CAV25M01YE-GT3 Datasheet Pagina 3 CAV25M01YE-GT3 Datasheet Pagina 4 CAV25M01YE-GT3 Datasheet Pagina 5 CAV25M01YE-GT3 Datasheet Pagina 6 CAV25M01YE-GT3 Datasheet Pagina 7 CAV25M01YE-GT3 Datasheet Pagina 8 CAV25M01YE-GT3 Datasheet Pagina 9 CAV25M01YE-GT3 Datasheet Pagina 10 CAV25M01YE-GT3 Datasheet Pagina 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • CAV25M01YE-GT3 Datasheet
  • where to find CAV25M01YE-GT3
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor CAV25M01YE-GT3
  • CAV25M01YE-GT3 PDF Datasheet
  • CAV25M01YE-GT3 Stock

  • CAV25M01YE-GT3 Pinout
  • Datasheet CAV25M01YE-GT3
  • CAV25M01YE-GT3 Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • CAV25M01YE-GT3 Price
  • CAV25M01YE-GT3 Distributor

CAV25M01YE-GT3 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q100
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria1Mb (128K x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock10MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-TSSOP

I prodotti a cui potresti essere interessato

MT49H32M18CFM-25:B

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

DRAM

Dimensione della memoria

576Mb (32M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

144-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

144-µBGA (18.5x11)

6116LA55TDB

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

24-CDIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

24-CDIP

AT29C256-90TC-T

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-TSOP

CY7C1049CV33-12ZSXAT

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

12ns

Tempo di accesso

12ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

44-TSOP II

AT29BV020-12JI

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

2Mb (256K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20ms

Tempo di accesso

120ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-PLCC (13.97x11.43)

Venduto di recente

MAX1686HEUA+T

MAX1686HEUA+T

Maxim Integrated

IC REG CHARG PUMP SIM 1OUT 8UMAX

TC1262-2.5VDB

TC1262-2.5VDB

Microchip Technology

IC REG LIN 2.5V 500MA SOT223-3

XC7VX690T-2FFG1761I

XC7VX690T-2FFG1761I

Xilinx

IC FPGA 850 I/O 1761FCBGA

L78L05ABUTR

L78L05ABUTR

STMicroelectronics

IC REG LINEAR 5V 100MA SOT89-3

STM8AL3LE88TCY

STM8AL3LE88TCY

STMicroelectronics

IC MCU 8BIT 64KB FLASH 48LQFP

MMA7660FCT

MMA7660FCT

NXP

ACCELEROMETER 1.5G I2C 10DFN

IPA60R360P7SXKSA1

IPA60R360P7SXKSA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CHANNEL 600V 9A TO220

MAX8216ESD+

MAX8216ESD+

Maxim Integrated

IC MONITOR VOLT MPU 14-SOIC

0458002.DR

0458002.DR

Littelfuse

FUSE BRD MNT 2A 48VAC 75VDC 1206

SD101CW-7-F

SD101CW-7-F

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 40V 15MA SOD123

BF862,215

BF862,215

NXP

JFET N-CH 20V 25MA SOT23

RJH60D5BDPQ-E0#T2

RJH60D5BDPQ-E0#T2

Renesas Electronics America

IGBT 600V 75A 200W TO-247