CAT25M01XI-T2
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| Numero parte | CAT25M01XI-T2 |
| PNEDA Part # | CAT25M01XI-T2 |
| Descrizione | IC EEPROM 1M SPI 10MHZ 8SOIC |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.568 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 22 - lug 27 (Scegli Spedizione rapida) |
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CAT25M01XI-T2 Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | CAT25M01XI-T2 |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
CAT25M01XI-T2, CAT25M01XI-T2 Datasheet
(Totale pagine: 14, Dimensioni: 319,13 KB)
  
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CAT25M01XI-T2 Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | EEPROM |
| Tecnologia | EEPROM |
| Dimensione della memoria | 1Mb (128K x 8) |
| Interfaccia di memoria | SPI |
| Frequenza di clock | 10MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 5ms |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | 1.8V ~ 5.5V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria 2Mb (128K x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 55ns Tempo di accesso 55ns Tensione - Alimentazione 2.3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 48-LFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 48-BGA (6x8) |
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