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CAT24AA08TDI-GT3

CAT24AA08TDI-GT3

Solo per riferimento

Numero parte CAT24AA08TDI-GT3
PNEDA Part # CAT24AA08TDI-GT3
Descrizione IC EEPROM 8K I2C 1MHZ TSOT23-5
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.776
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 6 - mag 11 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CAT24AA08TDI-GT3 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCAT24AA08TDI-GT3
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CAT24AA08TDI-GT3, CAT24AA08TDI-GT3 Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 166,02 KB)
PDFCAT24AA04WI-G Datasheet Copertura
CAT24AA04WI-G Datasheet Pagina 2 CAT24AA04WI-G Datasheet Pagina 3 CAT24AA04WI-G Datasheet Pagina 4 CAT24AA04WI-G Datasheet Pagina 5 CAT24AA04WI-G Datasheet Pagina 6 CAT24AA04WI-G Datasheet Pagina 7 CAT24AA04WI-G Datasheet Pagina 8 CAT24AA04WI-G Datasheet Pagina 9 CAT24AA04WI-G Datasheet Pagina 10

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CAT24AA08TDI-GT3 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria8Kb (1K x 8)
Interfaccia di memoriaI²C
Frequenza di clock1MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5ms
Tempo di accesso400ns
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Pacchetto dispositivo fornitoreTSOT-23-5

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

18Mb (1M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.1ns

Tensione - Alimentazione

2.375V ~ 2.625V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-TFBGA (13x15)

M27C1001-12C6

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EPROM

Tecnologia

EPROM - OTP

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

120ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

AS4C32M32MD1-5BCNTR

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Produttore

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR

Dimensione della memoria

1Gb (32M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

5ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 85°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

90-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

90-FBGA (8x13)

Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

eMMC

Frequenza di clock

52MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

153-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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