C3M0065100J
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| Numero parte | C3M0065100J |
| PNEDA Part # | C3M0065100J |
| Descrizione | MOSFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7 |
| Produttore | Cree/Wolfspeed |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 13.236 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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C3M0065100J Risorse
| Brand | Cree/Wolfspeed |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | C3M0065100J |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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C3M0065100J Specifiche
| Produttore | Cree/Wolfspeed |
| Serie | C3M™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 1000V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 78mOhm @ 20A, 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 15V |
| Vgs (massimo) | +15V, -4V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 600V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 113.5W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK-7 |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
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Produttore Vishay Siliconix Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 400V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 25A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 170mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 88nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1707pF @ 100V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 278W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB Pacchetto / Custodia TO-220-3 |
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